三星将针对低良品率问题展开调查，涉及特别报告和晶圆代工资金利用情况

从7nm单晶节点开始，Galaxy在工艺技术研发上就长期以来不顺利。在过去的两年里，无论5nm还是4nm工艺技术生产的芯片，无论效能还是良品率都依赖于较大问题。虽然Galaxy已投入了大量资金投入，但良品率始终没有值得注意的改善，严重影响了其晶圆代工经营范围的订购交付，货物交收一段时间不断原订。

据Infostock Daily报道，鉴于电子元件演艺事业部门长久以来依赖于的问题，Galaxy电子（Samsung Electronics）管理层仍未坐不住了，决定针对非内存类先进工艺技术芯片良品率过低的问题落幕调查，将眼前锁定在涉及部门的现任和前任高管身上，段落仅限于年末上交的单晶良品率统计数据是否依赖于错误信息，以及用于提升先进工艺技术良品率的资金投入是否得到必要利用。

年末Galaxy说明，将在3nm单晶节点转用了全新的GAAFET全四周栅极晶体管工艺技术，并计划在2022年上半年原型机第一代3nm工艺技术，2023年原型机第二代3nm工艺技术。不过4nm和5nm工艺技术上显现的诸多问题，让外间对Galaxy的计划普遍持可疑态度。

有业内人士认为，Galaxy电子极可能借此更进一步，成为其整合集体经营范围的机亦会，同时审核涉及的财务管理问题，并封杀有关先进工艺技术良品率特别是否有虚假信息。此外，也有分析师指出，Galaxy此举某程度上比如说电子元件工艺技术在带入5nm及其以下先决条件后，研发和装配上亦会变得非常不较易。

Galaxy电子涉及主任说明，这次管理上的封杀不属于常规配置，现在正在争辩与此有关的日程、段落和关联事项，暂时难于透露太多。