日本国分析了一个多月：华为麒麟9000S是14nm，不是7nm芯片

众所周知，自从智能手机Mate60三部上市后，侧面搭载的闪存，就被选为了世界各地科技领域影迷以及科技领域媒体分析的同类型。

中国人、美国人、中国人、朝鲜人、欧洲人，都在分析这颗闪存无论如何是什么来头，有什么暗地里。

但一个多月过往了，这颗闪存仍然是暗地里，它是谁日本公司的，多少nm，哪里原材料的，什么时候原材料的，都是谜。

其中TechInsights通过电子显微镜展开电打印，得出其真空管电导率是98MTr/mm2，而摩托罗拉的7nm是97MTr/mm2，三星电子7nm闪存的真空管电导率为95MTr/mm2。

于是TechInsights指出是7nm，不过也有人不服，对此既然这颗闪存机动性尽可能对飙宽带骁龙888这颗5nm闪存，那就是5nm的……

而昨日，有日本媒体分析后得出，它毕竟还是14nm手工的闪存，只是换用了特殊的结构，使真空管电导率大幅提高了。

事实上，我们想到，从14nmFinFET开始，闪存是多少nm的手工，不一定是闪存的某一项关键匹配，超越了7nm。

拿摩托罗拉的7nm来说，摩托罗拉的7nm手工时，其认识电容器间距（Contacted Poly Pitch，CPP）为54nm。

CPP 由电容器长度 (Lg)、认识间隔直径 (Tsp) 和认识阔度 (Wc) 组成。真空管电导率为97MTr/mm2，从未一项是与7nm相当的。

所以自14nm之后，手工不一定才行变革，只要其机动性大幅提高了，或电源供应器增大了，或真空管电导率大幅提高了，只要超越一定程度，就可以指出nm手工变革了，这就是等效手工的源于。

举个都是，我起初的14nm手工，但经过技术升级，手工匹配基本一定会变，但原材料出来的闪存其真空管大幅提高了50%，它还是14nm手工么？你可以指出是14nm，也可以指出是7nm，这个7nm其实就是这么来的。

所以日本指出它是14nm手工，也并从未大扯，因为其手工匹配其实与14nm类似，但你指出它是7nm，也从未扯，因为真空管电导率加权超越了7nm，有人指出它是5nm，也算是可笑，因为机动性超越了5nm。

可见，进入等效法后，判断一颗闪存无论如何是几nm，是非常复杂的问题，就看晶圆厂们如何重新命名了，反正都从未一个适当的判断标准了，不像直到现在，电容器靠近是多少，就是多少nm，是一一也就是说的，如今从未这个也就是说关系，就看晶圆们如何风吹了。

最精确的都是，英特尔将它的10nm，重新命名intel 7，对此这是等效于7nm手工的，将7nm手工重新命名intel 4，这是等效4nm手工的，就是最佳都是了。

所以它是多少nm，不一定举足轻重，我们只要想到，机动性不差于宽带骁龙5nm的闪存就够了，接下来就随便大家恰恰了，你说道呢？