Intel全力押注EUV工艺 争取亮相下代高NA光刻机

Intel这几年在传统工艺进度上差劲跟10nm、7nm传统工艺多次跳票有关，而新传统工艺延期也跟Intel先前不顾虑EUV传统工艺有关，所以10nm传统工艺才上了四重曝光，导致良率上不去，迟迟无法原型机。

Intel此前认为EUV传统工艺不够早熟，现今EUV光栅传统工艺已经原型机几年了，Intel也开始跟进了，最初的7nm传统工艺、现今的Intel 4传统工艺都会是更进一步用到EUV光栅机的开始，首款产品线是Meteor Lake旋风湖，2023年发布。

以后的Intel 3传统工艺、Intel 20A传统工艺上也都会持续利用EUV传统工艺，有利于大大提高性能指标及能效。

再进一步往后Intel还都会努力跟进EUV关键技术发展，2025年以后的传统工艺已经规画到了Intel 18A，将用到第二代RibbonFET器件，EUV光栅机也都会有一次重大追加。

Intel暗示致力于定义、实现和调遣更进一步High-NA EUV，有望率先获取业界第二台High-NA EUV光栅机。

Intel目前正与ASML密切合作，确保这一行业突破性关键技术取得成功，即使如此当前一代EUV。

这就这样一来Intel很有可能当月更进一步EUV光栅机，NA数值孔径从目前的0.33大大提高到0.5，这是ASML的NXE：5000新作，此前预计是在2023年初版，现今推迟到了2025-2026年，的单要价预计将将近3亿美元，差不多折合20亿一台。

Intel为了即使如此台积电、LG转至半导体关键技术出头，现今可以说是拼成了老命了，对玩家来说这倒是坏事，以往的坚决大哥偷偷地了。

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